9月21日消息，上周有投資者向中芯國(guó)際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國(guó)際回答表示，中芯國(guó)際第二代 FinFET N+1 已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2020 年底進(jìn)行小批量試產(chǎn)。
中芯國(guó)際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。
今年 6 月，中芯國(guó)際表示，14nm 晶圓代工產(chǎn)能正處于初期布局階段，因此全球份額相對(duì)較低，不過第一代 14nm FinFET 技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，而且技術(shù)上處于國(guó)際領(lǐng)先水平，且具有一定的性價(jià)比，目前已同眾多客戶開展合作，預(yù)測(cè)產(chǎn)能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。
而關(guān)于中芯國(guó)際在下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)的開發(fā)情況，中芯國(guó)際表示第二代 FinFET 技術(shù)目前已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，與第一代對(duì)比有望在性能上提高約 20%，功耗降低約 7%，面積縮小 63%。
中芯國(guó)際表示，14nm 及以下先進(jìn)工藝主要應(yīng)用于 5G 、人工智能、智能駕駛、高速運(yùn)算等新興領(lǐng)域，未來發(fā)展前景廣闊。
中芯國(guó)際 12 英寸芯片 SN1 項(xiàng)目是中國(guó)內(nèi)地第一條 14nm 及以下先進(jìn)工藝生產(chǎn)線，規(guī)劃月產(chǎn)能為 3.5 萬片晶圓，目前已建成月產(chǎn)能 6000 片。
值得一提的是，目前由于外媒分析稱中芯國(guó)際在第二代 FinFET 制程能效不及臺(tái)積電 7nm 工藝，且有博主稱中芯國(guó)際第二代 FinFET N+1 技術(shù)等效于臺(tái)積電 8nm 工藝，因此不少媒體以訛傳訛，最后傳出中芯國(guó)際官宣 8nm 的烏龍事件。
